삼성 ‘꿈의 메모리’ 선점 속도전…5나노 M램셀 세계 최초로 구현

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서울경제

‘VLSI 심포지엄’ 발표

8나노 공개 넉달 만에

최선단 핵심기술 확보

-40~150℃에도 버텨 삼성전자(005930) 가 D램의 한계를 극복할 ‘꿈의 메모리’ 자기저항메모리(M램) 기술 선점에 속도를 내고 있다. 업계 최초로 8㎚(나노미터·10억분의 1m)급 M램을 선보인 지 불과 4개월 만에 한 단계 더 진보한 5나노급 핵심 기술까지 확보하면서다. ★본지 4월 17일자 1·5면 참조